NAND共4篇
消息称 SK 海力士有望时隔多年重启韩国本土 NAND 闪存晶圆厂建设五猫网 - AI工具、API服务与独立产品开发五猫网

消息称 SK 海力士有望时隔多年重启韩国本土 NAND 闪存晶圆厂建设

SK 海力士自 2018 年清州 M15 晶圆厂竣工后便未在韩国建造 NAND 晶圆厂,接手英特尔 NAND 业务后在中国大连动工的第二晶圆厂近来也没有多少消息。
TrendForce:主要 NAND 原厂 2026 年几无新增产能,供给短缺预计持续全年五猫网 - AI工具、API服务与独立产品开发五猫网

TrendForce:主要 NAND 原厂 2026 年几无新增产能,供给短缺预计持续全年

三星电子 2026Q1 NAND 营收季度增幅达到 104.7%,为五大原厂最高;美光、闪迪也均录得 96.7% 环比提升。
消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10(332 层)3D NAND 闪存五猫网 - AI工具、API服务与独立产品开发五猫网

消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10(332 层)3D NAND 闪存

该闪存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率,位密度相较现有的 BiCS8 提升 59%
溯波实习的头像五猫网 - AI工具、API服务与独立产品开发五猫网溯波实习2个月前
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消息称三星电子讨论重启半导体新业务,V10 NAND 是一大重点五猫网 - AI工具、API服务与独立产品开发五猫网

消息称三星电子讨论重启半导体新业务,V10 NAND 是一大重点

此次讨论的重点还有化合物半导体、先进封装及基板。有消息称三星 V10 NAND 堆叠层数将跃升至 400 以上。