此次讨论的重点还有化合物半导体、先进封装及基板。有消息称三星 V10 NAND 堆叠层数将跃升至 400 以上。

该闪存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相较现有的 BiCS8 提升 59%

三星电子 2026Q1 NAND 营收季度增幅达到 104.7%，为五大原厂最高；美光、闪迪也均录得 96.7% 环比提升。