寒序科技携手 SEMIFIVE 流片三星 8nm eMRAM 边缘 AI SoC
eMRAM 基于 MTJ(磁隧道结)结构,以 MTJ 处单位单元的电阻变化为基础,使用自旋替代电荷存储数据
TrendForce:利基型 NOR、SLC NAND 闪存 2026H1 合约价双双翻倍
机构认为高容量 NOR 下半年仍有 60~65% 涨价空间;SLC NAND 因供应紧缩还将续涨 70~75%。
TrendForce:DRAM 内存产业 2026Q1 营收环比增长 81%
三大原厂本年度的 DRAM 内存供应能力提升主要来自制程升级转换,投片规模仅能通过生产流程优化小幅上修,供不应求的整体态势无法得到改变。
TrendForce:主要 NAND 原厂 2026 年几无新增产能,供给短缺预计持续全年
三星电子 2026Q1 NAND 营收季度增幅达到 104.7%,为五大原厂最高;美光、闪迪也均录得 96.7% 环比提升。










